半导体激光器结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-12-30 发布于四川
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半导体激光器结构及其制备方法.pdf

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本申请公开了一种半导体激光器结构及其制备方法。该半导体激光器结构包括依次设置的n型光学限制层、n型下光学波导层、多量子阱有源区、p型上光学波导层、p型电子阻挡层和p型光学限制层；该p型光学限制层具有超晶格结构，其中的一个超晶格周期包括层叠设置的第一p型掺杂层和第二p型掺杂层，每一p型掺杂层内的高掺杂区域和低掺杂区域沿逐渐远离该两个p型掺杂层的界面的方向依次设置，且高掺杂区域邻近所述界面。本申请可以有效改善半导体激光器的工作性能，例如大幅降低其工作电压和显著提升其光效。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117317805A

(43)申请公布日2023.12.29

(21)申请号202210716186.5

(22)申请日2022.06.22

(71)申请人广东中科半导体微