半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-12-30 发布于四川
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半导体结构及其制造方法.pdf

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本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：沿第一方向依次排布的位线、晶体管结构和电容结构，电容结构沿第一方向延伸，且晶体管结构和电容结中均包括部分半导体层，半导体层沿所述第一方向延伸；位线接触层，位于半导体层远离电容结构的端面，且位线接触层和半导体层包括相同的半导体材料，位线覆盖位线接触层远离半导体层的端面，以及至少覆盖位线接触层沿第一方向延伸的部分侧壁。本公开实施例至少有利于降低晶体管结构与位线之间的接触电阻。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117320441A

(43)申请公布日2023.12.29

(21)申请号202210714330.1

(22)申请日2022.06.22

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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