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本发明提供一种制造半导体装置的方法,针对标准胞元库产生第一效能数据库,包括:针对包括多个闸的每一标准胞元将闸分类成群组,包括:搜寻闸之中的匹配闸;将对应匹配闸分组成对应的多个成员闸;以及(针对闸中的不匹配闸)将不匹配闸分组至对应的单成员群组中;针对每一标准胞元产生对应的第一效能数据量,包括:针对每一群组进行:以个别方式计算第一效能数据量;将效能数据量映射至群组中的目标闸;及针对每一多成员群组将效能数据量映射至非目标闸;及使第一效能数据库至少部分地基于第一效能数据量。此种映射是利用效能数据中的冗余
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117312618A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202311030692.XG06F30/392(2020.01)
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