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一种非挥发性存储器装置的控制方法，非挥发性存储器装置包含一组存储器单元、周期晶体管、参考晶体管及控制电路，控制电路耦接于该组存储器单元、周期晶体管及参考晶体管。控制方法包含在该组存储器单元的编程操作或抹除操作时，控制电路读取周期晶体管，及在读取到该周期晶体管在抹除状态(或编程状态)后，控制电路依序将该参考晶体管从参考状态设置至抹除状态(或编程状态)，及将参考晶体管从抹除状态(或编程状态)回复至参考状态，参考状态介于抹除状态及编程状态之间。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117316245A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202210713522.0
(22)申请日2022.06.22
(71)申请人世界先进积体电路股份有限公司
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