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本发明公开了一种具有冷却功能的半导体材料涡流电导率测试方法,包括将待测硅片运动到待测部位,将所述电导率探头移动到所述待测部位,同时使用所述冷却喷头进行冷却喷射,根据所述涡流冷气标定曲线,确定所述冷却喷头所需提供的供气量,同时根据已有的所述被动线圈中的电流和所述标准硅片的电导率之间的标准关系曲线确定所述待测部位的电导率;本发明利用主动电磁线圈的中空部分,通过在中空部分安装冷却喷头,根据材料的发热量通入一定流量和压力的冷却空气,将半导体材料表面的热量及时导出,确保半导体材料表面温度处于规定范围内,提
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117310282A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202210023344.9
(22)申请日2022.01.10
(71)申请人九域半导体科技(苏州)有限公司
地
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