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本实用新型涉及金刚石制造领域,尤其涉及一种用于MPCVD设备的生长台及基片台。用于MPCVD设备的生长台,生长台包括至少两个分体台,至少两个相邻的分体台之间设置有导热结构,导热垫为自身导热能力可调的可调导热垫或者分体台之间可拆卸设置,以通过更换导热垫或者增减导热垫的数量调整导热结构的导热能力。生长台的导热能力可调,那么也就是说生长台和冷却台之间的导热效率不再恒定,可以依据需求进行生长台和冷却台之间导热能力的调整,进而解决了现有技术中生长台与冷却台之间的导热效率恒定,当MPCVD设备的功率变化,生
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220265838U
(45)授权公告日2023.12.29
(21)申请号202322163835.6
(22)申请日2023.08.11
(73)专利权人河南天璇半导体
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