- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
在此提供一种快闪存储器装置及其制造方法。此方法包括形成多个隔离结构于基板中。两个相邻的隔离结构之间形成顶部宽度小于底部宽度的开口。此方法包括沉积第一硅晶种层于基板上,以及进行第一循环。第一循环包括进行第一沉积工艺,以共形地形成第一非晶硅层于第一硅晶种层上,且第一非晶硅层定义出第一凹口;之后,进行第一原位氯化刻蚀工艺,以拓宽第一凹口的口径。此方法包括进行第一热退火工艺,以将第一非晶硅层转变为第一多晶硅层。此方法包括进行非晶硅沉积工艺,以形成非晶硅层于第一多晶硅层上且完全填满开口。本发明能够提升快闪
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117320450A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202210766557.0
(22)申请日2022.07.01
(30)优先权数据
1111223702022.
文档评论(0)