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本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件，制造方法包括：提供半导体基体，包括衬底、从衬底表面朝向衬底开设的第一凹槽；在衬底表面和第一凹槽内形成栅绝缘层和第一栅极材料层，或者在第一凹槽内形成栅绝缘层和第一栅极材料层；去除部分第一栅极材料层和栅绝缘层，以在衬底表面或第一凹槽侧壁形成接触窗口；在接触窗口上形成第二栅极，第二栅极接触衬底，与衬底具有连续的晶格构造；形成岛状结构，岛状结构中残留的第一栅极材料层作为第一栅极，第一栅极接触第二栅极，且通过栅极绝缘层与衬底隔开，第一栅极和第二栅极构成存储器件
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117222226A
(43)申请公布日2023.12.12
(21)申请号202310993856.2
(22)申请日2023.08.07
(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
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