碳化硅晶体的制备方法.pdfVIP

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2023-12-13 发布于四川
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碳化硅晶体的制备方法.pdf

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本申请提供一种碳化硅晶体的制备方法，包括提供一晶体生长装置，包括：晶体生长区域及围绕其设置的第一加热件，原料堆放区域及围绕其设置的第二加热件，和补充粉料堆放区域及设置在其底部的第三加热件；在晶体生长区域安装籽晶；向补充粉料堆放区域和原料堆放区域分别铺设富硅粉料和碳化硅粉料；生长过程，包括启动第一加热件，对碳化硅粉料进行加热至生长过程结束；从第一加热件的加热时刻起经第一时长后，启动第三加热件对富硅粉料进行加热至生长过程结束；从第一加热件的加热时刻起经第二时长后，启动第二加热件对富硅粉料进行加热至生

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117210933A

(43)申请公布日2023.12.12

(21)申请号202311006612.7

(22)申请日2023.08.10

(71)申请人湖南三安半导体有限责任公司

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