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本发明涉及一种基于LTCC工艺的小型化双耦合层结构电桥,该电桥包括依次设置的表面层、第一接地层、第一耦合层、第二接地层、第二耦合层和第三接地层;第一耦合层包括依次设置的第一射频线和第二射频线,第一射频线与第二射频线形成第一耦合结构;第二耦合层包括依次设置的第三射频线和第四射频线,第三射频线与第四射频线形成第二耦合结构;第一射频线通过第一通孔与第四射频线相连;第二射频线通过第二通孔与所述第三射频线相连。本发明采用多层及双耦合结构,在不增加材料的介电常数及体积的情况下,实现了电桥的低频设计,满足键合
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117220001A
(43)申请公布日2023.12.12
(21)申请号202310965224.5
(22)申请日2023.07.31
(71)申请人中国电子科技集团公司第四十三研
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