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一种测试封装件中的半导体装置的方法,半导体装置具有第一类型的半导体材料和第二类型的半导体材料之间的结,其中,所述结具有温度依赖的击穿电压,所述方法包括以下步骤:确定所述击穿电压,经由所述封装件的引脚在所述结上提供固定电压,其中,所述固定电压高于所述击穿电压,以及经由所述封装件的引脚测量流过所述结的击穿电流,基于所述固定电压和所述测量的击穿电流确定耗散功率,其中,所述耗散功率是针对所述半导体装置的质量度量。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117214641A
(43)申请公布日2023.12.12
(21)申请号202310689120.6
(22)申请日2023.06.12
(30)优先权数据
52022
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