半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-11-25 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

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本发明使半导体装置的性能提高。半导体装置(1)具备由导电材料构成的芯片焊盘(2a)、在芯片焊盘(2a)的上表面上设置的半导体芯片(CH1)、以及半导体芯片(CH3)。半导体芯片(CH1)具有栅极焊盘电极(GP1)及漏极焊盘电极(DP1)，半导体芯片(CH3)具有焊盘电极(AP1)。在栅极焊盘电极(GP1)及焊盘电极(AP1)各自的上表面上，以电连接于栅极焊盘电极(GP1)及焊盘电极(AP1)的方式设有导电层(3)。通过树脂层(5)以使得导电层(3)的上表面及芯片焊盘(2a)的下表面暴露的方式，将

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117121201 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202280027220.6 (74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限