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本发明提供了一种场效应管及场效应管的制作方法。该场效应管包括：半导体基底，包括间隔设置的第一类型阱和第二类型阱，且半导体基底具有第一表面，第一类型阱和第二类型阱分别自第一表面延伸至半导体基底中，第一类型阱和第二类型阱的掺杂类型不同；栅极结构，位于第一表面上；多个源极区，间隔设置于第一类型阱中靠近栅极结构一侧；掺杂区，第一类型阱中的任意相邻源极区之间设置有掺杂区中的至少部分，第一类型阱和掺杂区的掺杂类型相同；漏极区，设置于第二类型阱中远离栅极结构的一侧。通过本申请，能够使得场效应管中的空穴被及时导
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117012806 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202310798245.2 (22)申请日 2023.06.30 (71)申请人 苏州华太电子技术
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