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本发明提供一种图形化方法及图形化的半导体结构。所述图形化方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有外延生长的氧化硅层；在所述氧化硅层表面形成氮化硅层；采用相对于外延生长的氧化硅层具有选择性的腐蚀工艺对所述氮化硅层进行图形化；以图形化的氮化硅层作为阻挡层，对外延生长的氧化硅层进行图形化。上述技术方案引入氮化硅层作为阻挡层，避免以光刻胶为阻挡层图形化外延生长的氧化硅层时，光刻胶脱落导致的图形化效果不佳的问题。采用氮化硅层作为阻挡层，避免腐蚀过程中光刻胶造成的机台污染以及过厚的光刻胶带来的图形失真
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117012640 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202310724804.5 (22)申请日 2023.06.16 (71)申请人 上海积塔半导体有限公司 地址 2
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