一种IGBT单晶硅门极电阻器及其制造方法.pdfVIP

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2023-11-04 发布于四川
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一种IGBT单晶硅门极电阻器及其制造方法.pdf

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本发明涉及一种IGBT单晶硅门极电阻器以及制造方法，P型单晶硅晶圆，上表面镀Sio2膜形成绝缘层，SiO2膜上光刻镂空形成Testpin电极图形，晶圆背面添加导电金属，溅射电阻层，在Pin1电机与TestPin电极内溅射AL材料，Pin1电极包括焊线区，焊线区向TestPin电极延伸条形进入“E”字形中部且不与Pin1电极接触；在350℃情况下1小时退火处理；去除Pin1电极与TestPin电极以外的光刻胶；镭射修阻；划片分割；检测与封装。本发明采用P型单晶硅制成的门极电阻可以在IGBT单晶硅门

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116995066 A (43)申请公布日 2023.11.03 (21)申请号 202310795760.5 (22)申请日 2023.06.30 (71)申请人宁波鼎声微电子科技有限公司地址