石墨烯与宽禁带半导体材料的接触特性研究的中期报告.docxVIP

石墨烯与宽禁带半导体材料的接触特性研究的中期报告 本研究旨在探究石墨烯与宽禁带半导体材料的接触特性，并通过深入的实验研究来分析接触界面的电学和光学性质。在研究过程中，我们选择了具有代表性的宽禁带半导体材料SiC作为研究对象。 在实验中，我们先使用扫描电子显微镜（SEM）对石墨烯与SiC接触界面进行观察，在图像中可以清晰地看到石墨烯与SiC之间的平整度较高，不存在明显的缺陷或杂质。接着我们采用电感耦合等离子体（ICP）技术制备石墨烯/SiC接触电极，并通过电学测试台对接触界面的电学性质进行测试。实验结果表明，石墨烯与SiC之间形成的接触电阻明显低于石墨烯与其他半导体材料的接触电阻，说明SiC材料与石墨烯具有良好的电学接触性。 另外，我们还使用紫外-可见-近红外光谱仪（UV-Vis-NIR）测试石墨烯/SiC接触界面的光学性质。实验结果表明，石墨烯与SiC之间的接触界面存在明显的能带偏移现象，且光吸收率比单独的石墨烯或SiC材料都要高，表明SiC与石墨烯之间形成的异质结界面具有明显的光响应性质。 综上所述，我们通过实验研究发现，石墨烯与宽禁带半导体材料SiC之间形成的接触界面在电学和光学性质上都具有较好的特性，这为探索新型光电器件提供了理论基础。下一步，我们将继续深入研究该接触界面的性质，并探索其应用于光电器件中的潜在价值。