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本发明提供一种基于NV色心的集成电路三维诊断方法，包括以下步骤：S1：将一颗均匀植入近表面NV色心的金刚石放置在电流附近，距离要探测的集成电路表面几百纳米的距离；S2：通过在NV色心执行光学探测磁共振，探测金刚石晶格中多个NV取向上的塞曼相互作用，利用高敏感相机测量金刚石色心表面的荧光分布变化，实现将微波磁场幅值转换为相机拍摄的像素点光强读数的功能；S3：利用无限线近似改写后的Biot‑Savart定律可以解析垂直方向z上的信号，得到来自两个或者多个电流层的磁场分布。S4：利用Biot‑Sava
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116990728 A (43)申请公布日 2023.11.03 (21)申请号 202310792240.9 (22)申请日 2023.06.30 (71)申请人 北京卫星环境工程研究所 地址 1
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