环栅器件中Fin阵列及其制备方法、电子设备及制备方法.pdfVIP

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2023-11-04 发布于四川
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环栅器件中Fin阵列及其制备方法、电子设备及制备方法.pdf

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本发明提供了一种环栅器件中Fin阵列的制备方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成一堆叠层；采用第一刻蚀混合气体对堆叠层进行刻蚀，以在衬底上形成若干鳍结构，并同时形成第一聚合物保护膜；若干鳍结构沿第一方向排列；第一聚合物保护膜形成于若干鳍结构沿第一方向的侧壁上；采用第二刻蚀混合气体刻蚀若干鳍结构之间的衬底，同时形成第二聚合物薄膜以及STI空腔；STI空腔的形状为“倒梯形”；第二聚合物薄膜用于辅助形成“倒梯形”的STI空腔；第一聚合物保护膜用于保护对叠层不被刻蚀。本发明提供的技术方案解决了在提高Fin

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116995031 A (43)申请公布日 2023.11.03 (21)申请号 202310911177.6 (22)申请日 2023.07.24 (71)申请人复旦大学地址 200433