包括绝缘体上半导体衬底的NCFET晶体管.pdfVIP

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2023-11-01 发布于四川
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包括绝缘体上半导体衬底的NCFET晶体管.pdf

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本发明涉及一种包括用于场效应晶体管的绝缘体上半导体衬底的NCFET晶体管，该NCFET晶体管从其基部到其表面依次包括：半导体载体衬底(1)；单个铁电层(2)，其被布置成与载体衬底(1)直接接触，该层被设计成被施加偏压以形成负电容；以及半导体材料的有源层(3)，该层被设计为形成晶体管的沟道，并且被布置为与铁电层(2)直接接触，所述NCFET晶体管还包括被布置在有源层(3a)中的沟道(3b)、被布置在沟道(3b)的任一侧上的有源层(3a)中的源极(11)和漏极(12)以及被布置在沟道(3b)上并且通

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116982148 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202280021452.0 (74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限