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本公开的实施例描述了具有隔离结构的半导体结构。半导体结构包括:纳米结构组,位于衬底上;栅极介电层,包裹纳米结构组;功函金属层,位于栅极介电层上和纳米结构组周围;以及隔离结构,与纳米结构组相邻并且与功函金属层接触。功函金属层的部分位于隔离结构的顶面上。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978951 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310830216.X H01L 29/06 (2006.01)
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