半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-11-01 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本发明的实施例针对用于宽带隙半导体器件的三维(3D)半导体结构，其中，宽带隙半导体器件在第一IC管芯和第二IC管芯之中分开。第一IC管芯包括第一衬底和第一半导体器件。第一衬底包括第一宽带隙材料，并且第一半导体器件位于第一衬底上面，并且部分地由第一宽带隙材料形成。第二IC管芯位于第一IC管芯上面，并且通过第一和第二IC管芯之间的接合结构接合至第一IC管芯。此外，第二IC管芯包括第二衬底和第二半导体器件。第二衬底包括第二宽带隙材料，并且第二半导体器件位于第二衬底下面，并且部分地由第二宽带隙材料形成。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978899 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310514259.7 H01L 21/768 (2006.01) (22)申请日 2023.05