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本发明提供一种能抑制芯片面积增加的半导体存储装置。根据实施方式,半导体存储装置包含:存储单元(MC);第1电路(60e),将基于信号(DQ)的第1位数据(V0)与电压(VREF)的比较结果的第1数据(DOPe)存储在第1锁存电路,基于第1数据输出第1信号(DRe);及第2电路(60o),将基于第2位数据V1与参考电压的比较结果的第2数据(DOPo)存储在第2锁存电路,基于第2数据输出第2信号(DRo)。第1电路基于第2数据将第1位数据与参考电压进行比较,基于第2信号将第1锁存电路设为复位状态。第
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978432 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310038337.0 (22)申请日 2023.01.10 (30)优先权数据 2022-075218 202
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