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ESD 保护电路及显示装置的制作方法 esd 保护电路及显示装置 技术领域 1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种 esd 保护电路及显示装置。 背景技术： 2.目前，有源矩阵的有机发光二极管显示广泛地应用到中小尺寸显示面板，并 逐渐成为显示技术的主流。具体地，基于低温多晶硅及金属氧化物形成的混合 型晶体管技术，即低温多晶氧化物技术，已经开始成为高端显示的背光技术。 低温多晶氧化物技术具有高迁移率、高驱动能力以及低泄漏电流的特点，可以 较明显地减少有源矩阵的有机发光二极管像素内部节点的泄漏电流以及电荷， 从而在低帧场合较明显地减少显示驱动功耗。 3.但是目前为止，大部分关于低温多晶氧化物晶体管技术仅仅用于改善有源矩 阵的有机发光二极管像素电路的性能，而较少有相关研究，运用低温多晶氧化 物晶体管技术来构建高性能周边驱动电路，尤其是关于 esd 保护电路方面。 4.其中，现有的 esd 电路不仅需要具有较强的保护效果，而且需要保证 i/o 端 正常工作过程中泄漏电流较低。但是这两者之间存在矛盾，从提升 esd 保护效 果来看，现有 esd 电路中串联的 tft 数量越少越好，但是这样就会引起在正常 工作时，i/o 端要输出一定量的高电压。因此，在现有的 esd 电路中，由于器 件结构参数也较难于优化选择，且受限于电路的原理性缺陷，无论 tft 的沟道 宽度以及长度如何选取，现有的 esd 电路也难于同时兼顾到 esd 保护效果、较 低的漏电、较小的电路面积、较低的功耗等指标。 5.因此，如何提供一种 esd 电路，使其能够兼顾到 esd 保护效果、较低的漏 电、较小的电路面积、较低的功耗等指标是现有面板厂家需要努力攻克的难 关。 技术实现要素： 6.本技术实施例的目的在于提供一种 esd 电路及显示装置，能够解决现有的 esd 电路难于同时兼顾到 esd 保护效果、较低的漏电、较小的电路面积、较低 的功耗等指标的技术问题。 7.本技术实施例提供一种 esd 电路，包括第一电源线、第二电源线、参考高电 压信号线、参考低电压信号线、侦测模块、放大模块以及放电模块；其中， 8.所述第一电源线上设有 i/o 端，所述第一电源线用于提供正常工作高电压， 所述第二电源线用于提供放电电压，所述参考高电压信号线用于提供参考高电 压，所述参考低电压信号线用于提高参考低电压； 9.所述侦测模块电性连接于所述 i/o 端、所述第二电源线以及所述放大模块， 所述侦测模块用于侦测所述 i/o 端是否出现 esd 异常电荷，若出现 esd 异常电 荷，则将所述 esd 异常电荷传输至所述放大模块； 10.所述放大模块电性连接于所述参考高电压信号线、所述参考低电压信号线、 所述侦测模块以及所述放电模块，所述放大模块用于放大所述 esd 异常电荷， 并将经过放大的所述 esd 异常电荷传输至所述放电模块； 11.所述放电模块电性连接于所述第一电源线、所述第二电源线以及所述放大模 块，所述放电模块用于当接收到经过放大的所述 esd 异常电荷时，释放所述 i/o 端的所述 esd 异常电荷。 12.在本技术所述的 esd 电路中，所述侦测模块包括第一阻性元件以及第二阻性 元件，所述第一阻性元件的一端电性连接于所述 i/o 端，所述第一阻性元件的 另一端连接于第一节点，所述第二阻性元件的一端电性连接于所述第二电源 线，所述第二阻性元件的另一端电性连接于所述第一节点。 13.在本技术所述的 esd 电路中，所述第一阻性元件包括第一侦测晶体管，所述 第二阻性元件包括第二侦测晶体管，所述第一侦测晶体管的栅极电性连接于所 述第一节点，所述第一侦测晶体管的源极和漏极中的一者电性连接于所述 i/o 端，所述第一侦测晶体管的源极和漏极中的另一者电性连接于所述第一节点， 所述第二侦测晶体管的栅极电性连接于所述第二电源线，所述第二侦测晶体管 的源极和漏极中的一者电性连接于所述第一节点，所述第二侦测晶体管的源极 和漏极中的另一者电线连接于所述第二电源线。 14.在本技术所述的 esd 电路中，所述第二侦测晶体管的沟道宽度是所述第一侦 测晶体管的沟道宽度的比值为 9 至 11。 15.在本技术所述的 esd 电路中，所述放大模块包括第一缓冲放大器以及第二缓 冲放大器，所述第一缓冲放大器的输入端电性连接于所述第一节点，所述第一 缓冲放大器的输出端电性连接于第二节点，所述第二缓冲放大器的输入端电性 连接于所述第二节点，所述第二缓冲放大器的输出端电性连接于第三节点。 16.在本技术所述的 esd 电路中，所述第一缓冲放大器包括第一放大晶体管以及 第二放大晶体管，所述第二缓冲放大器包括第三放大晶体管以及第四放大晶体 管，所述第一放大晶体管的栅极电性连接于所述第一节点，所述第一放大晶体 管的源极