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基于Silicide-last工艺的金属硅接触性研究的中期报告 本文基于Silicide-last工艺，研究了金属硅接触性。通过工艺流程的优化，选择合适的材料，在测试样品上进行了多次实验，得出了初步结论。 首先，在材料的选择上，我们选择了p型硅衬底和Pt/Co多层膜作为金属线材料。在Silicide-last工艺流程中，首先进行了清洗和去除掺杂物的步骤，然后是金属线的蒸镀和退火。最后，进行了电子束蒸发Si的步骤，形成金属硅接触。 接着，我们进行了IV测试和Kelvin探针测试，发现了一些问题。在IV测试中，我们发现在Si和金属线之间存在很大的接触电阻，这可能是由于金属线与硅衬底间的接触不良造成的。在Kelvin探针测试中，我们发现Pt/Co多层膜在蒸镀过程中形成了一层较厚的氧化物，从而影响了其与硅衬底之间的接触性。 为了解决这些问题，我们尝试了一些优化的方案。在金属线的蒸镀中，我们改变了蒸镀参数，确保了金属线与硅衬底的良好接触。在电子束蒸发Si的步骤中，我们采用了更高的温度和更长的退火时间，以去除氧化物并提高金属硅接触的质量。 经过这些优化，我们进行了新一轮的测试，并取得了一些进展。在IV测试中，我们发现接触电阻显著降低，且Kelvin探针测试结果显示多层膜与硅衬底间的接触性得到了显著提高。这些结果表明，通过优化工艺流程和材料选择，可以显著提高金属硅接触性。 总之，本文基于Silicide-last工艺，研究了金属硅接触性，并进行了多轮实验优化。虽然初步结果显示我们已取得了进展，但仍有许多问题需要进一步研究和解决。