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2023-10-11 发布于四川
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实施方式提供具有更小的面积的存储装置。在实施方式的存储装置中，多个第1导电体相互分离而沿着第1轴排列。存储柱沿着第1轴延伸，与多个第1导电体相对向，包括半导体和将半导体包围的膜。多个接触插塞沿着第1轴延伸，各自包括第2导电体和将第2导电体包围的第1绝缘体。第1绝缘体位于多个第1导电体与第2导电体之间。多个接触插塞各自在下表面与多个第1导电体中的不重复的一个第1导电体的上表面相接。多个接触插塞包括第1接触插塞～第3接触插塞。第1接触插塞和第2接触插塞沿着与第1轴相交的第2轴而相邻地配置。第3接触插

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116864482 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202210911539.7 H10B 43/20 (2023.01) (22)申请日 2022.07.