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本发明的实施方式提供一种能达成高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备经由多个贴合电极而贴合的第1芯片及第2芯片。第1芯片具备半导体衬底。第2芯片具备多个第1导电层、与多个第1导电层对向的多个半导体层、包含多个位线的第1配线层、包含多根配线的第2配线层、及包含多个第1贴合电极的第3配线层。第2配线层中的多根配线分别具备：第1部分，设置于从第1方向观察与多个位线中的一者重叠的区域，且电连接于多个位线中的一者；及第2部分，设置于从第1方向观察与多个第1贴合电极中的一者重叠的区域，且连接
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116867283 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202210683129.1 H10B 41/27 (2023.01)
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