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本申请提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，在衬底上形成第一场效应晶体管，并在第一场效应晶体管上形成第一隔离层，在第一隔离层中形成第一通孔，并在第一通孔中沉积金属层，金属层可以作为电源分布供给网络，金属层与第一场效应晶体管电连接，这样，金属层可以向第一场效应晶体管供电，接着，在第一隔离层和金属层上形成第二隔离层，在第二隔离层上形成第二场效应晶体管，其中，第二场效应晶体管和第二隔离层中具有贯穿的第二通孔，第二通孔内填充金属材料形成第一接触塞，第一接触塞与金属层电连接，金属层可以向第二场效应晶体
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116845030 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202310901540.6 H01L 23/528 (2006.01)
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