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本发明提供一种基于相邻有源区效应的闪烁噪声模型，包括第一闪烁噪声模型，第一闪烁噪声模型的参数包括器件结构的宽度、长度频率、温度中的至少一种；根据器件结构与其横向、纵向的有源区边缘之间的距离建立的关于不同相邻有源区环境的函数；根据横向有源区环境的函数与第一闪烁噪声模型建立的第二闪烁噪声模型。本发明提高了闪烁噪声模型拟合精度；能够设计更合理的版图；引入与相邻有源区的变化尺寸相关的函数，能更精准建模，且更好的反应器件的实际电路中特性；适用于各种器件类型的噪声模型，例如MOS，各类电阻等等。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116842887 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202310629293.9 (22)申请日 2023.05.30 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址
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