一种多维复合发光区结构的激光器外延片.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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一种多维复合发光区结构的激光器外延片.pdf

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本发明公开一种多维复合发光区结构的激光器外延片，其由下至上依次包括缓冲层、Alx1Ga1‑x1AsN限制层、Alx2Ga1‑x2As下波导层、GaAs下垒层、Inx3Ga1‑x3As下量子阱、Inx4Ga1‑x4As量子点发光层、Inx5Ga1‑x5As上量子阱、GaAs上垒层、Aly1Ga1‑y1As上波导层、Aly2Ga1‑y2AsP限制层、欧姆接触层，其中：0.2≤x1≤0.5、0.1≤x2≤0.3、0.15≤x3≤0.2、0.2≤x4≤0.3、0.15≤x5≤0.2、0.1≤y1≤0.3

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116826524 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310714618.3 (22)申请日 2023.06.16 (71)申请人山东华光光电子股份有限公司