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本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法。用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构包括半导体底层和覆盖在半导体底层上的掩模层；在掩模层的阵列区域中设有第一沟槽阵列和第二沟槽阵列；第一沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第一沟槽，第二沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第二沟槽；在行方向上，第一沟槽和第二沟槽交替且错位排布，在列方向上，第一沟槽和第二沟槽也交替且错位排布；位于掩模层中的第一沟槽和第二沟槽向下延伸至半导体底层中，且在半导体底层中第一沟槽和第二沟槽沿着各自长度的延伸方向
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825762 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310590379.5 (22)申请日 2023.05.24 (71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司 地址
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