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本发明公开了一种SGOI器件的制造方法,包括:步骤一、提供SGOI衬底结构。步骤二、对顶部锗硅层表面进行氮化处理形成抗刻蚀层。步骤三、进行栅氧化工艺形成栅氧化层,栅氧化工艺同时将氧掺入到抗刻蚀层中并使抗刻蚀层为SiGeON层。步骤四、形成栅极导电材料层,对栅极导电材料层进行图形化刻蚀形成由栅氧化层和栅极导电材料层的栅极结构。在栅极导电材料层的图形化刻蚀中,抗刻蚀层对顶部锗硅层进行保护并防止产生锗硅材料缺失。本发明能防止栅极结构的图形化刻蚀工艺对顶部锗硅层产生损伤,从而能提高产品性能,并能为后续抬
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825638 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310769508.7 (22)申请日 2023.06.27 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址
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