一种硫系玻璃光子芯片及其直接曝光制造方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约8.48千字
约 8页
2023-09-30 发布于四川
举报
版权申诉

一种硫系玻璃光子芯片及其直接曝光制造方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种硫系玻璃光子芯片及其直接曝光制造方法，涉及一种光子芯片及其制造方法。为了解决现有的光子芯片的制备工艺复杂的问题。本发明硫系玻璃光子芯片由衬底、硫系玻璃和硫系玻璃表面的图形构成，或由硫系玻璃和硫系玻璃表面的图形构成；本发明利用激光器发射激光，激光通过准直系统和聚焦透镜后照射在硫系玻璃表面，硫系玻璃吸收激光的区域产生光致效应使得硫系玻璃吸收激光的区域的折射率发生变化，实现曝光，生成具有一定深度的图形，满足波导结构光子芯片加工性能需求。本发明硫系玻璃光子芯片及其直接曝光制造方法具有制备方法简单、低

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116810162 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310792222.0 (22)申请日 2023.06.30 (71)申请人哈尔滨工业大学