一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜内体镍含量管控的方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜内体镍含量管控的方法.pdf

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本发明涉及一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜内体镍含量管控的方法，所述方法包括以下步骤：将硅片依次经过CP前洗净、CP腐蚀、CP后洗净、LP前洗净后，进行LPCVD；本发明提供的方法在硅片上沉积多晶硅膜前，控制硅片浅表层内的镍含量，将硅片浅表层内的金属镍作为多晶硅膜内体镍的重要来源加以控制。控制沉积多晶硅膜前的硅片浅表层内的金属镍含量，即使在LPCVD机台中沉积多晶硅膜时会有高温(660℃±10℃)和已沉积的多晶硅(具有吸杂效果)的双重作用，也能控制住多晶硅膜内的体镍含量，使多晶硅膜内体镍(Ni)

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116815312 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310791533.5 (22)申请日 2023.06.30 (71)申请人上海中欣晶圆半导体科技有限公司地