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本申请提供一种掩膜图案的校正方法、装置及半导体设备，包括：获取掩膜的初始设计版图，初始设计版图包括多个图案；对每个图案进行处理，得到多个图形单元；在图形单元上设定评估点；获取图形单元上评估点的测量值；根据评估点的测量值和预设优化误差函数，调整图形单元位置，得到调整后的设计版图；判断调整后的设计版图是否满足预设要求；在调整后的设计版图不满足预设要求的情况下，返回执行获取图形单元上的评估点的测量值的步骤，直至得到目标设计版图。本申请通过反复移动设计版图的边实现了对掩膜图案的校正，克服了VSB系统成像
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116819898 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310678185.0 (22)申请日 2023.06.08 (71)申请人 中科晶源微电子技术（北京）有限公
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