一种大位阻C-C偶联钯配体及合成方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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一种大位阻C-C偶联钯配体及合成方法.pdf

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本发明公开了一种大位阻C‑C偶联钯配体及合成方法，本发明配体用萘基作为稳定配体的主要基团，配体使用过程中这一基团提供大平面的刚性构型，同时为配合物分子提供大π电子来稳定配合物；另外采用吡啶并呋喃的构型，将传统的N‑P双齿配体的N配位点邻位经呋喃这一官能团引入O来调节分子内N配位点的化学环境，从而将传统的N‑P双齿配体修饰为三齿配体，这一改变在实际配体使用中能有效增加Pd活性中心的穿插能力从而提升催化活性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116813670 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310777203.0 (22)申请日 2023.06.29 (71)申请人西安欧得光电材料有限公司地址