山东农业大学《集成电路设计基础》12.pdfVIP

上节回顾 • CMOS反相器 –电压传输曲线 电电子子与与通通信信工工程程系系 CMOS反相器VTC 电电子子与与通通信信工工程程系系 确定VV 和VV 的近似计算 IIHH IILL 电电子子与与通通信信工工程程系系 反相器增益 取决于工艺参数 电源电压以及晶体管尺寸只能 产 很小影响 电电子子与与通通信信工工程程系系 影响传输特性的因素-电源电压 • 降低电源电压，使VVTTCC特性改善 • 过低的电源电压 00..11VV时）使VVTTCC 明显变差 降低电源电压将增加延时 电源电压较低时，VVTTCC对器件参数的变化较为敏感 降低电源电压虽降低系统内部噪声 如串扰），但 外部噪声并不改善。 电电子子与与通通信信工工程程系系 影响传输特性的因素-工艺偏差 电电子子与与通通信信工工程程系系 CCMMOOSS反相器：瞬态分析 电电子子与与通通信信工工程程系系 影响串联反相器的电容 电电子子与与通通信信工工程程系系 密勒效应 电电子子与与通通信信工工程程系系 本征负载与外部负载 电电子子与与通通信信工工程程系系 晶体管等效电阻 （p76） 电电子子与与通通信信工工程程系系 晶体管等效电阻 1、电阻反比于W/L 2、V V+V 时 DD T DSAT/2 电阻趋向与V 无关的常数 DD 3、V 接近V 时 电阻急剧增加 DD T 电电子子与与通通信信工工程程系系 用做开关的晶体管电阻 电电子子与与通通信信工工程程系系 瞬态响应 电电子子与与通通信信工工程程系系 延时与VDD的函数 电电子子与与通通信信工工程程系系 减小门传播延时的方法 • 减小CL –内部扩散电容 –互联线电容 –扇 电容 • 增加晶体管的W/L比 –自载效应 • 提高VDD 电电子子与与通通信信工工程程系系 PMOS和NMOS宽度比值对延时的影响 电电子子与与通通信信工工程程系系 本征延时与负载延时(p150)