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第四章 1．一个容量为 16K×32 位的存储器;其地址线和数据线的总和是多少 当 选用下列不同规格的存储芯片时 ;各需要多少片 1K×4 位;2K×8 位;4K×4 位;16K×1 位;4K×8 位;8K×8 位 地址线和数据线的总和 = 14 + 32 = 46 根； 选择不同的芯片时 ;各需要的片数为： 1K×4：16K×32 / 1K×4 = 16×8 = 128 片 2K×8：16K×32 / 2K×8 = 8×4 = 32 片 4K×4：16K×32 / 4K×4 = 4×8 = 32 片 16K×1：16K×32/ 16K×1 = 1×32 = 32 片 4K×8：16K×32/ 4K×8 = 4×4 = 16 片 8K×8：16K×32 / 8K×8 = 2×4 = 8 片 2．现有 1024×1 的存储芯片;若用它组成容量为 16K×8 的存储器..试求： 1 实现该存储器所需的芯片数量 2 若将这些芯片分装在若干块板上;每块板的容量为 4K×8 位 ;该存储器所 需的地址线总位数是多少 其中几位用于选板 几位用于选片 几位用做片 内地址 16K×8=2^14×8;地址线为 14 根.4K×8 容量的板;共需要 4 块板子.则 14 根地址线的最高 2 位用于板选 00～11;第 1块板子～第 4 块板子 ;4K8位＝ 2^128 位＝121K8位 ;也就是在每块板子内需要 48 个芯片;而每 8 个芯片组 成 8 位 ;也就是位扩展.也就是说需要 4 组;则除了最高 2 位 ;剩余的 12 位 中;有 2 位用于片选 00～11;第一组～第 4 组.也就是：2 位用于板选 ;2位 用于片选;剩余的 10 位用于片内地址选择. 3．已知某计算机字长8 位;现采用半导体存储器作主存;其地址线为 16位; 若使用 1K×4 的SRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间;并采用存储模 块结构形式.. 1 若每块模板容量为 4K×8 位;共需多少块存储模板 2 画出一个模板内各芯片的连接逻辑图.. 解：1 根据题干可知存储器容量为 64KB;故共需 16 块存储模板.. 4．某半导体存储器容量16K×8 位;可选 SRAM 芯片的容量为 4K×4 位；地 —— 址总线A ~A 低;双向数据总线D7~D0 低;由R/ 线控制读/写..设计并画出 W 15 0 该存储器的逻辑图;并注明地址分配、片选逻辑及片选信号的极性.. 5．现有如下存储芯片：2K×1 位的 ROM、4K×1 位的 RAM、8K×1 位的 ROM.. 若用它们组成容量为 16KB 的存储器;前 4KB 为 ROM;后 12KB 为 RAM;CPU 的 地址总线 16 位.. 1 各种存储芯片分别用多少片 2 正确选用译码器及门电路;并画出相应的逻辑结构图.. 3 指出有无地址重叠现象.. 解：1 需要用 2K×1 的 ROM 芯片 16 片;4K×1 的 RAM 芯片 24 片..不能使用 8K×1 的ROM 芯片;因为它大于 ROM 应有的空间.. 3 有重叠现象;因为地址线 A15、A14 没有参加译码.. 6．用容量为 16K×1 位的 DRAM 芯片构成 64KB 的存储器.. 1 画出该存储器的结构框 图.. 2 设存储器的读/写周期均为 0.5 μs;CPU 在 1 μs 内至少要访存一次 ;试问 采用哪种刷新方式比较合理 相邻两行之间的刷新间隔是多少 对全部存 储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少 解：2 由于存储器芯片规格为 16K×1;所以其芯片内部的存储矩阵是 128 ×128 的存储矩阵..若采用集中刷新方式;则死区为 0.5×128=64 微秒;而 CPU 1 微秒至少访存一次 ;长达 64 微秒的死区显然不合理；若采用分散刷 新方式;则需要将系统存取周期增至 1 微秒;降低了整机速度;且刷新过于 频繁..所以应该采用异步刷新方式 ;假设允许的最大刷新间隔是 2ms;则相 邻两行刷新间隔为 2ms/128=15.625微秒;全部存储单元刷新一遍实际时间 0.5×128=64 微秒.. 7．某半导体存储器容量 15KB ; 其中固化区8KB;可选EPROM 芯片为4K×8 ； 可随机读/写区 7KB;可选 SRAM 芯片有：4K×4