半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括第一区和第二区且表面具有第一掩膜层；对第一掩膜层进行改性处理，在第一区上的第一掩膜层内形成若干改性区；在第二区上的第一掩膜层上形成若干第一掩膜结构；以若干第一掩膜结构和改性区为掩膜，刻蚀第一掩膜层，形成若干第二掩膜结构和若干第三掩膜结构；以第二掩膜结构图形化第二区，并以第三掩膜结构图形化第一区，在第一区形成若干第一鳍，在第二区形成若干第二鳍。所述方法提高了形成的半导体结构的性能和可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116779442 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202210243381.0 (22)申请日 2022.03.11 (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限