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本发明涉及一种高光效MicroLED芯片，属于MicroLED芯片技术领域。解决了现有技术中MicroLED芯片的出光效率低，且散热效果有待进一步提升的技术问题。本发明的MicroLED芯片，包括PN结、第二电极、第一电极、介质层和透明电极；其中，PN结为N个，且均为倒梯形结构，固定在驱动电路基板的上表面上，且每个PN结通过一个第二电极与一个驱动电路基板的电极连接；第一电极为共电极，通过透明电极与N个PN结均连接，介质层将第一电极和第二电极隔离。该MicroLED芯片，通过倒梯形的电极
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116759510 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310631774.3 (22)申请日 2023.05.31 (71)申请人 中国科学院长春光
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