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2023-09-14 发布于四川
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根据一实施方式，半导体装置具备：衬底；及积层膜，设置在所述衬底的上方，且包含在第1方向上相互隔开的多个电极层。所述装置还具备阵列区域，该阵列区域设置在所述衬底上，且包含存储单元阵列，该存储单元阵列具有构成所述多个电极层的多个字线及多个选择线。所述装置还具备第1插塞区域，该第1插塞区域设置在所述衬底上，位于所述阵列区域的第2方向，且包含与所述多个选择线中的第1选择线电连接的第1接触插塞。所述装置还具备第2插塞区域，该第2插塞区域设置在所述衬底上，位于所述第1插塞区域的所述第2方向，且包含与所述多个

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219679156 U (45)授权公告日 2023.09.12 (21)申请号 202320361666.4 H10B 43/27 (2023.01)