半导体制造栅氧工艺的Q-Time研究及改善方案.pdfVIP

. 中国科技论文在线 半导体制造栅氧工艺的Q-Time 研究及改善 方案 1,2 1* 倪立华 ，程秀兰 5 （1. 上海交通大学微电子学院，上海 200240； 2. 上海华力微电子有限公司，上海 201203 ） 摘要：随着集成电路器件性能的不断提高和技术的飞速发展，对半导体制造工艺条件的要求 也越来越严格。业界大多采用等待时间（Q-Time ）控制来避免关键工艺步骤在制造过程中 10 因等候时间过长而受到洁净室环境的影响。栅氧层作为半导体器件重要组成部分，直接决定 了晶体管的阈值电压、有效迁移率和器件的可靠性，进而影响MOS 大规模集成电路和超大 规模集成电路的成品率。因此，栅氧工艺的Q-Time 控制在整个半导体工艺流程中异常关键 且极具代表性。本文在产线现有工艺条件下，以栅氧到多晶硅工艺的Q-Time 控制作为切入 点，设计了栅氧层工艺中的Q-Time 对自然氧化层生长及表面态影响的两个方面的实验，探 15 讨了硅片在不同环境下Q-Time 对栅氧层的影响。测试结果表明，在硅片盒中充入纯氮气的 方案对栅氧层的Q-Time 控制可起到显著的优化效果。 关键词：栅极氧化层工艺；Q-Time 控制；半导体制造 中图分类号：TN305.2 20 Gate Oxide Process Q-Time Study and Optimization Methods in Semiconductor Manufacture Ni Lihua 1, 2, Cheng Xiulan1 (1. Microelectronics School, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240; 2. Shanghai HuaLi Microelectronics Corporation, ShangHai 201203) 25 Abstract: As the semiconductor technology keeps development, the semiconductor manufacture process control becomes more strict. The Q-Time control is the most common method in the semiconductor industry to avoid the long time of process waiting induces various side effects by clean rooms environment. Gate oxide is one of the most important parts in the semiconductor