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本发明公开了一种单晶硅氧碳含量检测方法，属于单晶硅检测技术领域；其包括：S1，选定待测单晶硅原料并确定取片位置；S2，多次切割后，得到单晶硅方片；S3，用去离子水或无水乙醇清洁所述单晶硅方片；S4，用氧碳测试仪检测单晶硅方片。本发明通过用去离子水或无水乙醇清洁单晶硅方片，省去了传统方法中腐蚀、清洗和钝化步骤，节约了试剂成本；同时避免了强腐蚀性和强氧化性酸的使用带来的人员安全隐患，以及酸液排放带来的环境问题，减少了工作人员的数量，有效降低了人工成本。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116660000 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310606734.3 (22)申请日 2023.05.26 (71)申请人 曲靖晶龙电子材料有限公司 地址
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