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本申请涉及一种半导体器件制备方法，包括：提供第一导电类型碳化硅衬底；在碳化硅衬底上形成硬掩膜，对碳化硅衬底进行第一次离子注入形成多个第二导电类型埋层；去除硬掩膜，在碳化硅衬底上形成光刻胶层，对碳化硅衬底进行第二次离子注人以在埋层上方的碳化硅衬底的表层形成多个与埋层连接的第二导电类型阱区，第二次离子注入为倾斜注入；垂直对阱区进行第三次离子注入，在阱区内形成源区，源区具有第一导电类型。通过上述三次离子注入，并在第二次离子注入时控制注入角度，自对准地形成沟道，制备工艺简单且灵活性更高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111627998 A (43)申请公布日 2020.09.04 (21)申请号 20191
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