GB/T 6616-2023半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试　非接触涡流法.pdf

ICS77.040 CCSH21 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT6616 2023 代替 / — GBT6616 2009 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层 电阻的测试 非接触涡流法 Testmethodforresistivitofsemiconductorwafersandsheetresistanceof y — semiconductorfilms Noncontactedd-currentaue y g g 2023-08-06发布 2024-03-01实施 国家市场监督管理总局 发 布 国家标准化管理委员会 / — GBT6616 2023 前 言 / — 《 : 》 本文件按照 标准化工作导则 第 部分 标准化文件的结构和起草规则 的规定 GBT1.1 2020 1 起草。 本文件代替 / — 《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》, GBT6616 2009 / — , , : 与GBT6616 2009相比 除结构调整和编辑性改动外 主要技术变化如下 ) ( , ); 更改了范围 见第 章 年版的第 章 a 1 2009 1 ) ( , ); 更改了干扰因素 见第 章 版的第 章 b 5 2009 5 ) ( , ); 更改了试验条件 见第 章 年版的 c 6 2009 6.1 ) ( 、 、 , ); d 更改了标准片和参考片的要求 见 8.18.28.32009年版的4.2 )