SJ_T 2216-2015硅光电二极管技术规范.pdf

ICS 31. 080L 54Su备案号：50543-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2216—2015代替 SJ/T 2216—1982硅光电二极管技术规范Technical specification for photodiode of silicon2015－10－01实施2015-04-30 发布发布中华人民共和国工业和信息化部SJ SJ/T 2216--2015言前本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本规范代替SJ/T2216一1982《硅光敏二极管》。本规范与SJ/T2216-1982相比主要变化如下：第1章，将原适用于2CU三个型号改为适用于2CU系列。-增加了第2章“规范性引用文件”和第3章“未语-定义和符号”器件结构增加了“Φ3.8mm”的外形结构（见附录A）。器件的设计参数增加了光谱响应范闺（见41-3）.。增加了绝对最大额定值的规定（见4.2）。-删除了原标准中最大反向电压为10V、20V、30V、40V和12V的参数。-删除了原标准对峰值波长的规定：增加了最低工作和贮存温度的要求（见表1）。高温测试的温度由原85℃提高到100℃-增加了“外观质量”的规定（见4.4）-。-质量评定程序所执行的上层标准，由原SJ/T2213-1982《半导体光敏管，光耦合器总技术条件》改为执行GB/T4589.1—2006《半导体器件、第10部分：分立器件和集成电路总规范》、GB/T12565--1990《半导体器件＇光电子器件分规范》见6.1）。增加了结构相似器件的相关规定（见6.3）。环境适应性要求增加了密封试验和低温贮存试验。-增加了第7章“附加说明”删除了原附录A“光敏二极管参数符号说明”。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本规范起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院、北京瑞普北光电子有限公司。本规范主要起草人：陈兰、郭德卫。本规范历次版本发布情况：SJ/T SJ/T 2216—2015硅光电二极管技术规范1范围本规范规定了硅光电二极管的光电特性和机械特性以及环境特性的技术要求、检验方法和检验规则等。本规范适用于2CU系列硅光电二极管（以下简称“器件”）2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件；仪所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用予本文件。GB/T2423.1，电工电子产品环境试验：第1部分：试验方法试验A：低温GB/T2423.2电工电子产品环境试验　第2部分：试验方法试验B：高温≤GB/T2828.1—2003计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T4589.12006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937（所有部分）半导体器件：机械和气候试验方法1!GB/T11499-2001　半导体分立器件文字符号GB/T12565-1990半导体器件光电子器件分规范GB/T15651半导体器件芬立器件和集成电路第5部分光电子器件SJ/T2247—1982、半导体光电子器件外形尺寸SJ/T2214—-2015～半导体光电二极管和光电晶体管测试方法3术语、定义和符号~GB/T11499--2001和GB/T15651界定的术语、定义和符号适用于本文件。4　要求4.1设计和结构4.1.1器件为金属玻璃光窗封装结构。4.1.2 器件的外形尺寸按 SJ/T 2247-1982中的 GD1-1、GD1-2、GD1-4、GD1-5 和附录 A 的规定。4.1.3器件的光谱响应范围为0.4μm～1.1μm。4.2绝对最大额定值器件的绝对最大额定值见表1。除另有规定外，这些数值适用于整个工作温度范围。 SJ/T 2216-—2015表1绝对最大额定值数值特性符号单位最小最大工作环境温度-45 100℃TambT stg贮存温度-55150℃最大反向电压VR50V一耗散功率aProt75mw：耗散功率的降额系数按相关文件的规定。4.3光电特性器件的光电特性见表2。表2 光电特性测量条件数值参数名称除另有规定外，符号单位外形结构最小最大Tamb=25℃GD1-180一HAGD1-4VR=50 V光照下的反向电流IR(H)GD1-2Ey-1 000 1x30μAGD1-515一μA附录AGD1-10.2μAGD1-4VR=50V暗电流IR(D)GD1-2Ev=00.1μAGD1-5附录AGD1-1GD1-2响应时间：tr50nsVR=10VGD1-4上升时间tt50nsRL=502GD1-5下降时间tr200ns附录 Atr200nsVR=50V总电容Cto