SJT 11226-2000电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管.pdf

ICS 31.080.30SJL42备案号：7559—2000中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11226 — 2000电子元器件详细规范3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管Detail specification for electronic componentsType 3DA505 L band silicon pulse power transistor2000-08-16发布2000-10-01实施中华人民共和国信息产业部发布 前言本规范是按照GB/T7576一1998《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范》（idtIEC747-7-4：1991）标准制订的，符合GB/T4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》（idtIEC747-10：1984）和GB/T12560-1999《半导体器件分立器件分规范》（idtIEC747-111996）的IⅡL类要求。本规范由信息产业部电子工业标准化研究所归口。本规范起草单位：信息产业部电子工业标准化研究所。本规范主要起草人：赵英、顾振球。 中华人民共和国电子行业标准电子元器件详细规范3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管SJ/T11226—2000Detail specification for electronic componentsType 3DA505 L band silicon pulse power transistor本规范适用于3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管，它是按照GB/T7576--1998《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范》标准制订的，符合GB/T4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB/T12560-1999《半导体器件分立器件分规范》的Ⅱ类要求。本规范引用的标准有GB/T4587-1994《半导体分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管》、GB/T4589.11989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》、GB/T4937一1995《半导体器件机械和气候试验方法》和GJB128A一97《半导体分立器件试验方法》。中华人民共和国信惠产业部2000-08-16发布2000-10-01实施- 1 - SJ/T 11226--2000中华人民共和国信息产业部评定电子元器件质量的依据：GB/T4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》SJ/T 11226—2000GB/T12560-1999《半导体器件分立器件分规范》3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管详细规范订货资料：见本规范第7章，2．简要说明1．机械说明L波段脉冲功率晶体管外形图：晶体管：NPN见本规范10.2。半导体材料：Si封装：空腔用途：雷达、航空管制引出端识别：见本规范10.2。3．质量评定类别1类参考数据标志：f: (1.2~1.4)GHz:见本规范第6章。P(脉冲输出功率)：220 W;h21E(1): 10~100;Gp: 7.4 dB.按详细规范鉴定合格的器件其有关制造厂的资料，见合格产品一览表4极限值（绝对最大额定值）除非另有规定，这些极限值适用于整个工作温度范围。数值单位符号参数名称条号最小值最大值-65200°℃Tease4.1 管壳温度℃Tstg-65200贮存温度4.2 V65最高集电极一基极电压VcBO4.3v3VEBO4.5最高发射极一基级反向电压7.5AIc4.6最大集电极电流66 w耗散功率1)4.9.1Ptot°C200Tvi4.9.2最高有效结温注：1）降额曲线见10.1。-2 - SJ/T 11226—20005电特性（检验要求见本规范第8章）数值特性和条件试验符号单位条号除非另有规定，Tcase=25C最小值最大值分组（见GB/T4589.1第4章）10100A2b5.1正向电流传输比h21E(1)Vce=5 V, Ic =3 A5.4.1集成极一基极截止电流10A2bmAIcBO(1)VcB=40 V, Ie =05.5.1高温下集电极基极截止电流100C2bmAIcBO(2)Tamb=150 °C, VcB =40.V1.0v5.6最高集电级一发射极饱合电压A3VCEsatIE =3 A, IB =0.3 A5.7最低脉冲输出功率Pp220WA2b最低功率增益7.4dBA2bGpVcc =40 V, f=(1.2~1.4) GHz,tw=150 μs, D=10%, P;=40 W50%A2b5.8最低总效率ntotVcc =40 V, f-(1.2~1.4) GHz,tw=150 μs, D=10%, P;=40 W热阻2.7K/WC2d5.11R(th)j-cVcE =12 V,Ic =4