一种改善焊接空洞的芯片封装结构.pdfVIP

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2023-08-07 发布于四川
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一种改善焊接空洞的芯片封装结构.pdf

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本实用新型涉及一种改善焊接空洞的芯片封装结构，包括芯片和引线框基岛，所述芯片通过焊接料固定在引线框基岛上，所述芯片和引线框基岛之间的焊接料厚度为15‑20μm，所述芯片正下方的引线框基岛上表面设有凹槽，所述凹槽的面积小于芯片的面积，所述凹槽的深度为15‑25μm。本实用新型在保持原有的封装结构的基础上，在芯片正下方的引线框基岛上表面设置凹槽，凹槽不影响原来的引线框基岛对芯片的支撑方式，所以芯片倾斜不会超标，焊接料爬高容易控制；另外凹槽的深度为15‑25μm，这样芯片下方凹槽处的焊接料厚度变成大于

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210015854 U (45)授权公告日 2020.02.04 (21)申请号 20192