一种SiC MOSFET的有源栅极驱动电路及方法.pdfVIP

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2023-08-02 发布于四川
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一种SiC MOSFET的有源栅极驱动电路及方法.pdf

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本发明涉及一种SiCMOSFET的有源栅极驱动电路及方法，用于改善SiCMOSFET开关性能，属于电力电子领域。在传统栅极驱动CGD的基础上，AGD在特定瞬态开关阶段向栅极提供额外的驱动电流，加速SiCMOSFET的特定瞬态开关阶段，以致SiCMOSFET获得更高的开关速度和整个开关期间更低的开关损耗；在振荡阶段接入较大的栅极驱动电阻来减小振荡幅度从而减小EMI。与传统的固定驱动电压的栅极驱动器CGD相比，本发明AGD可以更有选择性地调节SiCMOSFET的开关轨迹，灵活度更高，并具有

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116527028 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310475620.X (22)申请日 2023.04.28 (71)申请人上海电力大学