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公开了层状结构。一种制造层状结构的方法，包括在基板上生长外延层，外延层在邻近基板处具有第一电阻率并且在远离基板处具有第二电阻率(小于第一电阻率)。使外延层孔化以形成多孔层，多孔层在邻近基板处具有30％的孔隙率并且在远离基板处具有≤25％的孔隙率。在多孔层上方外延生长半导体(沟道)层。另外一种层状结构，包括：基板；多孔层；以及外延半导体(沟道)层。多孔层在邻近基板处具有＞30％的第一孔隙率并且在与半导体层相邻处具有≤25％的第二孔隙率。可以针对不同的功能优化两种不同的孔隙率。较高的孔隙率在使沟道
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116525648 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310084026.8 (22)申请日 2023.01.31 (30)优先权数据 2201241.3 2022.
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