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本发明提供的一种自适应电容的抗辐照射频SOI功放电路结构，属于射频集成电路领域，包括四堆叠功放、辐照检测控制电路以及开关电容阵列。四堆叠功放的包括四堆叠晶体管、偏置电阻以及射频扼流电感；辐照检测控制电路包括辐照检测电路和门限检测器；开关电容阵列由开关晶体管和电容组成。由于总剂量辐照效应，当辐照照射时，晶体管的性能会下降，功放的性能也因此下降，本发明通过在传统四堆叠功放中添加自适应的开关电容阵列，在辐照情况下自适应地调整电容大小，能够明显改善辐照导致的功放性能退化。在10GHz的工作频率处，本发
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116526986 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310449998.2 H03F 3/21 (2006.01) (22)申请日 2023.04.2
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